Invertitore affidabile e robusto IGBT Modulo di potenziamento canale N

Name: Invertitore affidabile e robusto IGBT Modulo di potenziamento canale N
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

Tutti i prodotti

Invertitore IGBT
(37)

IGBT ad alta potenza
(38)

MOSFET di alto potere
(48)

MOSFET a super giunzione
(48)

MOSFET a bassa tensione
(81)

MOSFET ad alta tensione
(54)

Diodi di barriera di Schottky
(80)

Diodi di recupero rapido
(49)

Basso VF Schottky
(65)

Semiconduttore ad alta potenza
(28)

MOSFET al carburo di silicio
(21)

SBD di carburo di silicio
(21)

Migliori prodotti

Transistor bipolare per stazione di ricarica stabile

30A 650V Inverter IGBT TO-247 per motori e condizionatori d'aria

60KHz Invertitore pratico IGBT Multiscene con velocità di commutazione rapida

Certificazione

Porcellana Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certificazioni

Rassegne del cliente

Ottimo prodotto, esattamente come descritto, spedizione veloce e ottimo servizio.

—— minifux1

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—— Sophia.

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Invertitore affidabile e robusto IGBT Modulo di potenziamento canale N

Grande immagine : Invertitore affidabile e robusto IGBT Modulo di potenziamento canale N

Dettagli:

Luogo di origine:	Cina
Marca:	Lingxun
Certificazione:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Documento:	About Lingxun(1).pdf

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	In base alle vostre richieste di ordine
Prezzo:	According to your order requirement
Imballaggi particolari:	Tube+Carton
Tempi di consegna:	In base alle vostre richieste di ordine
Termini di pagamento:	T/T
Capacità di alimentazione:	600KK/anno

Contatto

Invertitore affidabile e robusto IGBT Modulo di potenziamento canale N

descrizione

Tipo di dispositivo:

IGBT

Velocità di commutazione:

Velocità di commutazione più rapida

Frequenza di applicazione:

20KHZ-60KHZ

Applicazione:

OBC, pila di ricarica, macchina da saldatura, alimentatore di commutazione, inverter fotovoltaico, i

Evidenziare:

Invertitore IGBT canale N

N canale IGBT

Invertitore IGBT a canale N

Invertitore affidabile e robusto con modalità di potenziamento IGBT canale N

Caratteristiche

• Coefficiente di temperatura positivo

• Cambiare velocemente

• VCE basso (sat)

• Affidabile e robusto

Applicazioni

• UPS

• Azionamenti motori

• Incoraggiamento

• Centrale elettrica portatile

Prodotto Tag:

Invertitore solare Igbt,

Invertitore di potenza IGBT,

Semiconduttore di IGBT

Dettagli di contatto

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Persona di contatto: Mrs. Qinqin

Telefono: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

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Numero di tensione: 600 V

Applicazione: Apparecchi domestici, motori,ventilatori, pompe, aspirapolvere, inverter generale Applicazioni PFCUP

TO-247 Inverter 600V IGBT per sistemi di energia rinnovabile

Stile di montaggio: Attraverso il buco

Tipo di pacchetto: TO-247

Tipo di dispositivo: IGBT

Applicazione: Apparecchi domestici, motori,ventilatori, pompe, aspirapolvere, inverter generale Applicazioni PFCUP

Inverter a basso tempo di recupero IGBT 20KHz-60KHz con tolleranza termica 600V

frequenza di commutazione: 20KHZ-60KHZ

Applicazione: Apparecchi domestici, motori,ventilatori, pompe, aspirapolvere, inverter generale Applicazioni PFCUP

Tipo di dispositivo: IGBT

Tipo: Semiconduttore di potenza

Modalità di potenziamento N-Channel Potenza IGBT 15A 650V per inverter generale

Tipo di dispositivo: IGBT

Applicazione: Apparecchi per la casa, motori, inverter generale

Tensione massima dell'emettitore di porta: ± 20V

Potenza: Potere elevato

Fornitore di alimentazione di commutazione a quattro quadranti

Stile di montaggio: Attraverso il buco

Tipo di pacchetto: TO-247

Numero di tensione: 600 V

tensione dell'Collettore-emettitore: 650 V-1200 V

Invertitore affidabile e robusto IGBT Modulo di potenziamento canale N

Invertitore IGBT

IGBT ad alta potenza

MOSFET di alto potere

MOSFET a super giunzione

MOSFET a bassa tensione

MOSFET ad alta tensione

Diodi di barriera di Schottky

Diodi di recupero rapido

Basso VF Schottky

Semiconduttore ad alta potenza

MOSFET al carburo di silicio

SBD di carburo di silicio

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