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qualità MOSFET a super giunzione di immunità da sovratensioni multiscene per driver LED fabbrica

MOSFET a super giunzione di immunità da sovratensioni multiscene per driver LED

MOSFET a super giunzione
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qualità MOSFET ad alta corrente nominale 600V per circuiti di controllo e ponte fabbrica

MOSFET ad alta corrente nominale 600V per circuiti di controllo e ponte

MOSFET di alto potere
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qualità Velocità di commutazione rapida Potenza IGBT 650V-1200V per infrastrutture di rete fabbrica

Velocità di commutazione rapida Potenza IGBT 650V-1200V per infrastrutture di rete

IGBT ad alta potenza
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qualità Dispositivi discreti di potenza a bassa resistenza SJ MOS per illuminazione fabbrica

Dispositivi discreti di potenza a bassa resistenza SJ MOS per illuminazione

MOSFET a super giunzione
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qualità Invertitore IGBT & IGBT ad alta potenza fabbrica

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qualità MOSFET ad alta corrente nominale 600V per circuiti di controllo e ponte fabbrica

MOSFET ad alta corrente nominale 600V per circuiti di controllo e ponte

Tipo: N

Tipo di pacchetto: TO-220F/TO-247

Tensione di Portone-fonte (VGS): ±30V

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qualità Invertitore affidabile e robusto IGBT Modulo di potenziamento canale N fabbrica

Invertitore affidabile e robusto IGBT Modulo di potenziamento canale N

Tipo di dispositivo: IGBT

Velocità di commutazione: Velocità di commutazione più rapida

Frequenza di applicazione: 20KHZ-60KHZ

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qualità MOSFET a super giunzione di immunità da sovratensioni multiscene per driver LED fabbrica

MOSFET a super giunzione di immunità da sovratensioni multiscene per driver LED

resistenza interna: Resistenza interna ultra piccola

Capacità: Capacità di giunzione ultrabassa

Tipo di dispositivo: Dispositivi discreti di potere

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qualità Transistor MOSFET multiuso per applicazioni domestiche intelligenti fabbrica

Transistor MOSFET multiuso per applicazioni domestiche intelligenti

Tensione di Portone-fonte (VGS): ±30V

Produttore: Lingxun

Categoria: MOSFET

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qualità MOSFET ad alta potenza industriale Dissipazione del calore fabbrica

MOSFET ad alta potenza industriale Dissipazione del calore

Categoria: MOSFET

Tensione di Portone-fonte (VGS): ±30V

Paese d'origine: Cina, nuovissima, non utilizzata

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qualità 500V canale N MOSFET ad alta potenza semiconduttore polifunzionale di ossido metallico fabbrica

500V canale N MOSFET ad alta potenza semiconduttore polifunzionale di ossido metallico

Tipo: N

Tipo di pacchetto: TO-220F/TO-247

Tensione di Portone-fonte (VGS): ±30V

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qualità MOSFET ad alta potenza per motore a corrente continua fabbrica

MOSFET ad alta potenza per motore a corrente continua

Categoria: MOSFET

Paese d'origine: Cina, nuovissima, non utilizzata

Tensione di Portone-fonte (VGS): ±30V

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qualità MOSFET multifunzionale a bassa tensione per rettifica sincrona fabbrica

MOSFET multifunzionale a bassa tensione per rettifica sincrona

Consumo di energia: Perdita di potere basso

Processo di struttura: Trincea/SGT

Vantaggi del processo di trincea: RSP più piccoli, entrambe le configurazioni in serie e in parallelo possono essere combinate e utili

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qualità Velocità di commutazione rapida Potenza IGBT 650V-1200V per infrastrutture di rete fabbrica

Velocità di commutazione rapida Potenza IGBT 650V-1200V per infrastrutture di rete

Applicazione: Apparecchi per la casa, motori, ventilatori, pompe, inverter a fili solari

Velocità di commutazione: Velocità di commutazione più rapida

Tipo di pacchetto: TO-247

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qualità Diodo Schottky a bassa tensione per servoconduttore conforme Rohs fabbrica

Diodo Schottky a bassa tensione per servoconduttore conforme Rohs

Conformità Rohs: RoHS

Applicazione: Unità di alimentazione, motori, amplificatori RF, comunicazioni wireless

Caratteristiche: Velocità di commutazione rapida, elevata efficienza, basso tempo di recupero inverso

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qualità SiC Mosfet ad altissima efficienza per sistemi di energia rinnovabile fabbrica

SiC Mosfet ad altissima efficienza per sistemi di energia rinnovabile

Resistenza: Bassa resistenza

Applicazioni: Invertitori di potenza, veicoli elettrici, infrastrutture di rete, propulsori industriali, elettroni

Materiale: Carburo di silicio

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qualità Dispositivi discreti semiconduttori ad alta potenza a bassa perdita di energia fabbrica

Dispositivi discreti semiconduttori ad alta potenza a bassa perdita di energia

Capacità di giunzione: Capacità di giunzione bassa

Voltaggio: Alta tensione

Efficienza: Alta efficienza

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Guangdong Lingxun Microelectronics (Zhongxin semiconduttore) Co., Ltd., è un'impresa nazionale ad alta tecnologia che si concentra sulla ricerca e sviluppo, test di imballaggio,e vendite di dispositivi semiconduttori di potenza.La nostra fabbrica ha attualmente più di 180 dipendenti e più di 10000 metri quadrati area.Forniamo ai clienti dispositivi semiconduttori di potenza di alta qualità, stabilità e affidabilità e un supporto tecnico completo.basso VF Schottky,Diodi di recupero rapido, Mosfet ...
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