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Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N

Name: Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

Tutti i prodotti

Invertitore IGBT
(47)

IGBT ad alta potenza
(48)

MOSFET di alto potere
(48)

MOSFET a super giunzione
(48)

MOSFET a bassa tensione
(81)

MOSFET ad alta tensione
(54)

Diodi di barriera di Schottky
(80)

Diodi di recupero rapido
(49)

Basso VF Schottky
(65)

Semiconduttore ad alta potenza
(28)

MOSFET al carburo di silicio
(21)

SBD di carburo di silicio
(21)

Certificazione

Porcellana Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certificazioni

Rassegne del cliente

Ottimo prodotto, esattamente come descritto, spedizione veloce e ottimo servizio.

—— minifux1

spedizione molto veloce, ben confezionato e questi cavi sono sicuramente di alta qualità! non ho comprato da nessun'altra parte e continuerà a ottenere i miei cavi da questo venditore! AAA+++

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Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N

Grande immagine : Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N

Dettagli:

Luogo di origine:	Cina
Marca:	Lingxun
Certificazione:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Documento:	About Lingxun(1).pdf

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	In base alle vostre richieste di ordine
Prezzo:	According to your order requirement
Imballaggi particolari:	Tube+Carton
Tempi di consegna:	In base alle vostre richieste di ordine
Termini di pagamento:	T/T
Capacità di alimentazione:	600KK/anno

Contatto

Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N

descrizione

Voltaggio:	Alta tensione	vantaggi:	Processo stabile e qualità affidabile
Capacità di giunzione:	Capacità di giunzione bassa	Efficienza:	Alta efficienza
Caratteristiche:	RDS basso ((on) per area del chip ((Low FOM)	Applicazioni:	Invertitori solari, alimentazione AC-DC
Evidenziare:	Semiconduttore ad alta potenza canale N , Canale N ad alta potenza , N canale semiconduttore ad alta potenza

Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N

Caratteristiche

• Basso costo del cancello

• Basso RDS (on) per area di chip (low FOM)

• Perdite di connessione e di conduzione molto basse

• Estrema robustezza di commutazione

Applicazioni

• Invertitori solari

• TV LCD/LED/PDP

• Forniture elettriche per telecomunicazioni/server

• Fornitura di corrente AC-DC

Prodotto Tag:

Semiconduttore ad alta tensione,

MOSFET di alto potere,

IGBT ad alta potenza

Dettagli di contatto

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd

Persona di contatto: Mrs. Qinqin

Telefono: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

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Identificazione: 11A

VDSS: 650 V

VGS tipo RDSON = 10V: 340 mΩ

Gamma di temperatura di funzionamento (Tj): -50°C a +150°C

Semiconduttore ad alta tensione di tipo N ad alta potenza a bassa perdita

Resistenza alle temperature: Resistenza alle alte temperature

Tipo: N

Luce alta: I semiconduttori di potenza ad alta tensione sono caratterizzati dalla loro capacità di gestire in m

Capacità di giunzione: Capacità di giunzione bassa

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Identificazione: 15A

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VGS tipo RDSON = 10V: 274 mΩ

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Identificazione: 15A

Tensione di Scolo-fonte: 650 V

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Applicazioni: Invertitori solari, televisore LCD/LED/PDP, alimentatori di telecomunicazioni/server

20A 650V 150mΩ MOS di raffreddamento per alimentatori in modalità commutata

Identificazione: 20A

Tensione di Scolo-fonte: 650 V

VGS tipo RDSON = 10V: 150mΩ

Applicazioni: Topologie di commutazione morbida, alimentatori per telecomunicazioni e diversi

Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N

Invertitore IGBT

IGBT ad alta potenza

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MOSFET a bassa tensione

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