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Semiconduttore ad alta potenza

Porcellana Semiconduttore ad alta potenza

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET ad alta potenza per caricabatterie di commutazione

Identificazione:11A

VDSS:650 V

VGS tipo RDSON = 10V:340 mΩ
Semiconduttore ad alta tensione di tipo N ad alta potenza a bassa perdita

Resistenza alle temperature:Resistenza alle alte temperature

Tipo:N

Luce alta:I semiconduttori di potenza ad alta tensione sono caratterizzati dalla loro capacità di gestire in m
TO-220F Transistor a effetto campo di ossido metallico semiconduttore 15A 600V 274mΩ

Identificazione:15A

VDSS:600 V

VGS tipo RDSON = 10V:274 mΩ
Semiconduttore ad alta potenza a commutazione bassa 15A 650V 238mΩ per convertitori CC-DC

Identificazione:15A

Tensione di Scolo-fonte:650 V

VGS tipo RDSON = 10V:238 mΩ
20A 650V 150mΩ MOS di raffreddamento per alimentatori in modalità commutata

Identificazione:20A

Tensione di Scolo-fonte:650 V

VGS tipo RDSON = 10V:150mΩ
19A 600V 160mΩ Semiconduttore ad alta potenza per alimentatori industriali

Identificazione:19A

Tensione di Scolo-fonte:600 V

VGS tipo RDSON = 10V:160 mΩ
N canale semiconduttore ad alta tensione con bassa capacità di giunzione di perdite

Tipo:N

Resistenza alle temperature:Resistenza alle alte temperature

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa
TO-252 Superficie montata semiconduttore ad alta potenza 5A 500V 1.33Ω Per asciugatrice di capelli

Identificazione:5A

Tensione di Scolo-fonte:500 V

VGS tipo RDSON = 10V:1.33Ω
Transistor ad alta tensione di tipo N TO-220F con bassa capacità di giunzione

Resistenza alle temperature:Resistenza alle alte temperature

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa

Luce alta:I semiconduttori di potenza ad alta tensione sono caratterizzati dalla loro capacità di gestire in m
N canale semiconduttore ad alta potenza TO-220F con resistenza alle alte temperature

Efficienza:Alta efficienza

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa

Luce alta:I semiconduttori di potenza ad alta tensione sono caratterizzati dalla loro capacità di gestire in m
Alta potenza bassa perdita N canale IGBT resistente alle alte temperature

Voltaggio:Alta tensione

Luce alta:I semiconduttori di potenza ad alta tensione sono caratterizzati dalla loro capacità di gestire in m

Perforazione:Perdita bassa
TO-247 N canale semiconduttore ad alta potenza per carica di pile

Efficienza:Alta efficienza

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa

Resistenza alle temperature:Resistenza alle alte temperature

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Semiconduttore ad alta potenza

Porcellana Semiconduttore ad alta potenza

11A 650V 340mΩ TO-252 MOSFET ad alta potenza per caricabatterie di commutazione

Semiconduttore ad alta tensione di tipo N ad alta potenza a bassa perdita

TO-220F Transistor a effetto campo di ossido metallico semiconduttore 15A 600V 274mΩ

Semiconduttore ad alta potenza a commutazione bassa 15A 650V 238mΩ per convertitori CC-DC

20A 650V 150mΩ MOS di raffreddamento per alimentatori in modalità commutata

19A 600V 160mΩ Semiconduttore ad alta potenza per alimentatori industriali

N canale semiconduttore ad alta tensione con bassa capacità di giunzione di perdite

TO-252 Superficie montata semiconduttore ad alta potenza 5A 500V 1.33Ω Per asciugatrice di capelli

Transistor ad alta tensione di tipo N TO-220F con bassa capacità di giunzione

N canale semiconduttore ad alta potenza TO-220F con resistenza alle alte temperature

Alta potenza bassa perdita N canale IGBT resistente alle alte temperature

TO-247 N canale semiconduttore ad alta potenza per carica di pile

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