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Semiconduttore ad alta potenza

Porcellana Semiconduttore ad alta potenza

Semiconduttore a bassa tensione a bassa perdita per carica di pile

Efficienza:Alta efficienza

Tipo:N

Perforazione:Perdita bassa
Semiconduttori ad alta potenza a canale N con bassa capacità di giunzione a bassa perdita

Tipo:N

Perforazione:Perdita bassa

Efficienza:Alta efficienza
IGBT ad alta potenza per applicazioni industriali

Efficienza:Alta efficienza

Tipo:N

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa
Semiconduttore ad alta potenza di tipo N TO-220F con capacità di commutazione rapida

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa

Efficienza:Alta efficienza

Luce alta:I semiconduttori di potenza ad alta tensione sono caratterizzati dalla loro capacità di gestire in m
MOSFET ad alta potenza a bassa perdita N-canale TO-220F TO-263C TO-247AC

Resistenza alle temperature:Resistenza alle alte temperature

Voltaggio:Alta tensione

Luce alta:I semiconduttori di potenza ad alta tensione sono caratterizzati dalla loro capacità di gestire in m
eccellente porta di carica N canale super giunzione MOSFET 4A650V LCS65R900 semiconduttore ad alta potenza

Consumo di energia:Perdita di potere basso

Stato senza piombo:RoHS

Resistenza:RDS basso (SOPRA)
MOSFET ad alta resistenza alle alte temperature, a bassa perdita e a bassa capacità di giunzione di tipo N per un'efficienza energetica avanzata

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa

Efficienza:Alta efficienza

Tipo:N
Potenza di bassa capacità di giunzione N canale semiconduttore

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa

Efficienza:Alta efficienza

Resistenza alle temperature:Resistenza alle alte temperature
IGBT a tensione di bassa capacità di giunzione per temperature a bassa perdita

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa

Efficienza:Alta efficienza

Tipo:N
Basse perdite basse capacità di giunzione alta temperatura resistenza tensione canale N semiconduttore di potenza

Perforazione:Perdita bassa

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa

Luce alta:I semiconduttori di potenza ad alta tensione sono caratterizzati dalla loro capacità di gestire in m
MOSFET di potenza con resistenza alle alte temperature, bassa perdita e bassa capacità di giunzione

Tipo:N

Voltaggio:Alta tensione

Luce alta:I semiconduttori di potenza ad alta tensione sono caratterizzati dalla loro capacità di gestire in m
Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N

Voltaggio:Alta tensione

vantaggi:Processo stabile e qualità affidabile

Capacità di giunzione:Capacità di giunzione bassa

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Semiconduttore ad alta potenza

Porcellana Semiconduttore ad alta potenza

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Semiconduttori ad alta potenza a canale N con bassa capacità di giunzione a bassa perdita

IGBT ad alta potenza per applicazioni industriali

Semiconduttore ad alta potenza di tipo N TO-220F con capacità di commutazione rapida

MOSFET ad alta potenza a bassa perdita N-canale TO-220F TO-263C TO-247AC

eccellente porta di carica N canale super giunzione MOSFET 4A650V LCS65R900 semiconduttore ad alta potenza

MOSFET ad alta resistenza alle alte temperature, a bassa perdita e a bassa capacità di giunzione di tipo N per un'efficienza energetica avanzata

Potenza di bassa capacità di giunzione N canale semiconduttore

IGBT a tensione di bassa capacità di giunzione per temperature a bassa perdita

Basse perdite basse capacità di giunzione alta temperatura resistenza tensione canale N semiconduttore di potenza

MOSFET di potenza con resistenza alle alte temperature, bassa perdita e bassa capacità di giunzione

Applicazione multiuso Semiconduttore ad alta potenza Canale N

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