Modalità di potenziamento N-Channel IGBT ad alta potenza per convertitore di frequenza

Name: Modalità di potenziamento N-Channel IGBT ad alta potenza per convertitore di frequenza
Brand: Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Availability: InStock

Tutti i prodotti

Invertitore IGBT
(37)

IGBT ad alta potenza
(38)

MOSFET di alto potere
(48)

MOSFET a super giunzione
(48)

MOSFET a bassa tensione
(81)

MOSFET ad alta tensione
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Diodi di barriera di Schottky
(80)

Diodi di recupero rapido
(49)

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Semiconduttore ad alta potenza
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Certificazione

Porcellana Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd Certificazioni

Rassegne del cliente

Ottimo prodotto, esattamente come descritto, spedizione veloce e ottimo servizio.

—— minifux1

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Modalità di potenziamento N-Channel IGBT ad alta potenza per convertitore di frequenza

Grande immagine : Modalità di potenziamento N-Channel IGBT ad alta potenza per convertitore di frequenza

Dettagli:

Luogo di origine:	Cina
Marca:	Lingxun
Certificazione:	IATF16949,ISO9001,ISO14001,ROHS,REACH
Documento:	About Lingxun(1).pdf

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	In base alle vostre richieste di ordine
Prezzo:	According to your order requirement
Imballaggi particolari:	Tube+Carton
Tempi di consegna:	In base alle vostre richieste di ordine
Termini di pagamento:	T/T
Capacità di alimentazione:	600KK/anno

Contatto

Modalità di potenziamento N-Channel IGBT ad alta potenza per convertitore di frequenza

descrizione

Velocità di commutazione:	Velocità di commutazione più rapida	Nome del prodotto:	IGBT ad alta potenza
Applicazione:	OBC, pila di ricarica, macchina da saldatura, alimentatore di commutazione, inverter fotovoltaico, i	vantaggi:	Progettazione di una mesa ristretta, progettazione di combinazioni di scanalature più ottimizzate, p
Tipo di dispositivo:	IGBT	pacchetto:	TO-247
Evidenziare:	IGBT ad alta potenza , Convertitore di frequenza IGBT ad alta potenza , Modalità di potenziamento IGBT ad alta potenza

MOSFET multifunzionale a bassa tensione per la gestione dell'energia

Caratteristiche

• Coefficiente di temperatura positivo

• Trasferimento ad alta velocità

• bassa tensione di saturazione tra collettore ed emittente

• Facilità di commutazione parallela

• Cortocircuito resistente al tempo di 10 μs

• elevata robustezza

Applicazioni

• Centrale elettrica portatile

• Autista

Confezione:

TO-247

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Mrs. Qinqin

Telefono: +8618988720515

Fax: 86-189-8872-0515

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Numero di tensione: 650 V-1200 V

Applicazione: Forniture di alimentazione ininterrotte, depilazione, flash.

Velocità di commutazione: Velocità di commutazione più rapida

Frequenza di applicazione: 20KHZ-60KHZ

N Canale 15A 650V IGBT ad alta potenza TO-220F per elettrodomestici

Tipo di dispositivo: IGBT

Applicazione: Scambio di alta potenza

Tensione massima dell'emettitore di porta: ± 20V

Potenza: Potere elevato

600V-1200V Potenza IGBT Performance di alta robustezza per applicazioni PFC

Velocità di commutazione: Velocità di commutazione più rapida

Applicazione: Aspirapolvere, inverter generale Applicazioni PFC • Forniture di alimentazione ininterrotte, inverte

Numero di tensione: 650 V-1200 V

Frequenza di applicazione: 20KHZ-60KHZ

30A 650V N Canale IGBT ad alta potenza per la saldatura elettrica

tensione dell'Collettore-emettitore: 650 V

tensione dell'Portone-emettitore: ±20

Corrente del collettore pulsato, tp limitata da Tvjmax: 120A

Dissipazione di potenza (TC=25°C): 50W

Velocità di commutazione rapida Potenza IGBT 650V-1200V per infrastrutture di rete

Applicazione: Apparecchi per la casa, motori, ventilatori, pompe, inverter a fili solari

Velocità di commutazione: Velocità di commutazione più rapida

Tipo di pacchetto: TO-247

Tipo di dispositivo: IGBT

Modalità di potenziamento N-Channel IGBT ad alta potenza per convertitore di frequenza

Invertitore IGBT

IGBT ad alta potenza

MOSFET di alto potere

MOSFET a super giunzione

MOSFET a bassa tensione

MOSFET ad alta tensione

Diodi di barriera di Schottky

Diodi di recupero rapido

Basso VF Schottky

Semiconduttore ad alta potenza

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SBD di carburo di silicio

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Modalità di potenziamento N-Channel IGBT ad alta potenza per convertitore di frequenza

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IGBT ad alta potenza

Convertitore di frequenza IGBT ad alta potenza

Modalità di potenziamento IGBT ad alta potenza

IGBT ad alta tensione,

N canale IGBT,

Transistor di potenza di IGBT

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