Dettagli:
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Tipo: | N | Produttore: | Lingxun |
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Tipo di dispositivo: | Dispositivi discreti di potere | Intervallo di temperatura di funzionamento: | -55°C a 175°C |
Tensione di Portone-fonte (VGS): | ±30V | Caratteristiche: | Alta tensione, bassa resistenza, rapida commutazione |
Tipo di pacchetto: | TO-220 | Margine di EMI: | Grande EMI Margin |
resistenza interna: | Resistenza interna ultra piccola | ||
Evidenziare: | MOSFET a super giunzione di dissipazione del calore,Multiscene Super Junction MOSFET,Multiscene Cool Mos |
Uno degli attributi chiave di questo MOSFET è il suo grande margine EMI. Questa caratteristica gli consente di fornire prestazioni affidabili anche in ambienti con alti livelli di interferenza elettromagnetica.Questo lo rende molto adatto per l'uso in applicazioni che richiedono un elevato grado di immunità acustica, come i sistemi di controllo del motore e le alimentatrici.
Un'altra caratteristica di spicco del MOSFET Super Junction è il suo rating 100% testato in valanghe.Ciò significa che il dispositivo è stato ampiamente testato per garantire che possa resistere a elevati livelli di stress elettrico senza subire danniCon questa caratteristica, gli utenti possono essere sicuri che il MOSFET fornirà prestazioni costanti anche in condizioni operative difficili.
Il Lingxun Super Junction MOSFET vanta anche una robustezza di commutazione molto elevata, rendendolo ideale per l'uso in applicazioni ad alta tensione.Questa caratteristica garantisce che il MOSFET possa resistere a alti livelli di picchi di tensione senza rompersi o subire danniQuesto lo rende altamente adatto per l'uso in alimentatori, sistemi di illuminazione e applicazioni di controllo motore.
Infine, il MOSFET Super Junction vanta prestazioni Ron*A molto inferiori per l'efficienza in stato di funzionamento.rendendolo altamente efficienteQuesta caratteristica rende il MOSFET ideale per l'uso in applicazioni in cui l'efficienza energetica è una priorità assoluta, come i sistemi di energia solare e i veicoli elettrici.
In conclusione, se siete alla ricerca di un MOSFET affidabile, efficiente e ad alte prestazioni per le vostre applicazioni energetiche, il Lingxun Super Junction MOSFET è una scelta eccellente.Con il suo ampio margine EMI, 100% rating testato in valanga, robustezza di commutazione molto elevata e prestazioni Ron*A molto inferiori per l'efficienza in stato di funzionamento,questo MOSFET è sicuro di fornire una prestazione coerente e affidabile in una varietà di applicazioni.
Una delle caratteristiche chiave del Lingxun Super Junction MOSFET è il suo design testato al 100% in valanghe, che garantisce la massima affidabilità e sicurezza.questo dispositivo vanta una prestazione Ron*A molto inferiore per l'efficienza in stato, che lo rende una scelta eccellente per applicazioni a basso consumo.
Alimentato dalla nuova tecnologia di super-giunzione di Lingxun, questo MOSFET offre prestazioni e affidabilità eccezionali in una vasta gamma di scenari.Che tu stia costruendo una rete di telecomunicazioni o un alimentatore per server, il Lingxun Super Junction MOSFET è la scelta perfetta.
Con il suo grande margine di EMI, questo dispositivo è progettato per fornire prestazioni superiori anche in ambienti difficili.Puoi fidarti che questo MOSFET fornirà prestazioni affidabili giorno dopo giorno.
Quindi, se siete alla ricerca di un MOSFET di alta qualità per il vostro prossimo progetto, non cercate oltre il MOSFET Lingxun Super Junction.Questo dispositivo supererà sicuramente le vostre aspettative..
Q1. Chi siamo?
R: Siamo basati a Guangdong, Cina, fabbrica inizia dal 2012, è un'impresa nazionale ad alta tecnologia che si concentra sul confezionamento e test di dispositivi semiconduttori di potenza.Attualmente ha più di 180 ha più di 180 dipendenti e più di 10000 metri quadrati di superficieForniamo oltre 600 KK di alta qualità di dispositivi semiconduttori di potenza all'anno.
Q2.Qual è la vostra linea di prodotti?
A:Le principali linee di produzione esistenti comprendono Schottky,Schottky a bassa frequenza,diodi di recupero rapido, Mosfet ad alta tensione, Mosfet a media e bassa tensione, Mosfet a super giunzione, IGBT,Diodo di barriera a corto raggio di SiC e Sic Mosfet ecc..
Q3.Qual è l'applicazione del vostro prodotto?
R: ampiamente utilizzato in vari settori quali adattatori di alimentazione, illuminazione a LED, motori senza spazzole, gestione delle batterie al litio, inverter, stoccaggio dell'energia e pile di ricarica, ecc.
Q4.Qual è il vostro vantaggio competitivo?
A:1.Fabbrica forte. Abbiamo la nostra fabbrica di assemblaggio e di prova, investimento fisso superiore a 70 milioni di yuan. Avendo la migliore attrezzatura automatizzata Wire Bond,fornire oltre 600KK di dispositivi di alimentazione semiconduttori all'anno.
2. vantaggi di servizio,un sistema di approvvigionamento stabile,un approvvigionamento sostenibile e stabile di prodotti.Il nostro laboratorio può cooperare rapidamente ed efficacemente con la convalida.
3. Assicurazione della qualità,La fabbrica digitale più diffusa del sistema MES nel campo dell'imballaggio e dei test, certificata da ISO9001 versione 2015 e IATF16949.
4. Aggiornamento del prodotto,Ricerca e sviluppo continui di nuove specifiche e forme di imballaggio per soddisfare le esigenze di applicazione di un maggior numero di clienti.
Q5. Quali sono le vostre condizioni di imballaggio?
R:Di solito,i diversi pacchetti hanno un imballaggio diverso.TO-252/263 è bobina + sacchetto sigillato + scatola interna + cartone.TO-220/247 è tubo + scatola interna + cartone.
Q6. Qual è il vostro MOQ?
A: Forniamo campioni per ogni articolo. MOQ dipende dalla quantità dell'ordine.
Q7.Qual è la garanzia di qualità?
R: offrire campioni per il test. assicurarsi che il prodotto in grandi quantità sia coerente con il campione. se vi è una modifica, il campione sarà fornito di nuovo per il test.Testare e controllare al 100% tutti i prodotti prima della consegna.
Q8.Accettate la personalizzazione?
A: Sì, mandami il tuo requisito!
Q9.Come contattarti?
R: Invia i dettagli della tua richiesta nel link qui sotto, clicca su Invia, ora!!!
Persona di contatto: Mrs. Qinqin
Telefono: +8618988720515
Fax: 86-189-8872-0515