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MOSFET a super giunzione

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MOSFET di super giunzione di canale N di montaggio superficiale di alta frequenza di commutazione MOS fresca

Porcellana MOSFET a super giunzione

650V Smartphone Superaccoppiamento a bassa resistenza Mosfet Per PFC

Margine di EMI:Grande EMI Margin

Produttore:Lingxun

Applicazione:Fornitori di alimentazione per telecomunicazioni/server
Dispositivi discreti a potenza stabile con ultra bassa resistenza e grande margine EMI

Luce alta:100% Avalanche testato molto più basso RON*A Performance per l'efficienza in stato

Applicazione:Fornitori di alimentazione per telecomunicazioni/server

Tipo:N
Dispositivi discreti di potenza di telecomunicazione MOSFET tipo N

Luce alta:100% Avalanche testato molto più basso RON*A Performance per l'efficienza in stato

Margine di EMI:Grande EMI Margin

Tipo di dispositivo:Dispositivi discreti di potere
Mosfet di super giunzione di tipo N per alimentatori di telecomunicazioni / server

Tipo:N

Margine di EMI:Grande EMI Margin

Applicazione:Fornitori di alimentazione per telecomunicazioni / server
MOSFET di super giunzione elettronica avanzata in alimentatori ininterrotti

Luce alta:100% Avalanche testato molto più basso RON*A Performance per l'efficienza in stato

Applicazione:Fornitori di alimentazione per telecomunicazioni/server

Margine di EMI:Grande EMI Margin
Fornitori di energia per telecomunicazioni / server Sj Mosfet Alte prestazioni

Tipo:N

Produttore:Lingxun

Luce alta:100% Avalanche testato molto più basso RON*A Performance per l'efficienza in stato
7A 650V Grande margine EMI N canale MOSFET LC65R600F

Applicazione:Fornitori di alimentazione per telecomunicazioni/server

Produttore:Lingxun

Margine di EMI:Grande EMI Margin
20A 650V Super Junction Mos per alimentatori per server di telecomunicazioni

Luce alta:100% Avalanche testato molto più basso RON*A Performance per l'efficienza in stato

Produttore:Lingxun

Tipo di dispositivo:Dispositivi discreti di potere
Potenza Gran Margine EMI Super Mosfet 100% Avalanche Testato

Tipo:N

Margine di EMI:Grande EMI Margin

Produttore:Lingxun
4A 650V 880mΩ Super Junction Mosfet Low On Resistance Transistor HV

Identificazione:4a

Tensione di Scolo-fonte:650 V

VGS tipo RDSON = 10V:880 mΩ
Si Super Junction MOSFET Alta corrente di raffreddamento Mos 47A 600V 68mΩ

Identificazione:47A

Tensione di Scolo-fonte:600 V

VGS tipo RDSON = 10V:68mΩ
20A 650V 150mΩ Low Ciss Super Junction MOSFET per alimentatori

Identificazione:20A

Tensione di Scolo-fonte:650 V

VGS tipo RDSON = 10V:150mΩ

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