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Tipo:N

Identificazione:8A

Tensione di Portone-fonte (VGS):±30V
20A600V CS20N60A8 MOSFET ad alta tensione di tipo N per l'alimentazione dell'unità

Identificazione:20A

VDSS:600 V

Tensione di Portone-fonte (VGS):±30V
5A650V CS5N65A2 MOSFET ad alta velocità di commutazione per la conversione di energia

Tipo:N

Identificazione:5A

Tensione di Portone-fonte (VGS):±30V
8A900V CS8N90A6 TO-247 MOSFET ad alta tensione a bassa resistenza

Identificazione:8A

Numero di modello:CS8N90A6

VDSS:900 V
20A650V CS20N65A6 N canale MOSFET ad alta tensione 100% Avalanche testato

Identificazione:20A

VDSS:650 V

RDSON-typ (@VGS=10V):0.38Ω
28A500V CS28N50A6 MOSFET ad alta tensione di rottura per alimentazione in modalità interruttore

Tipo:N

Tensione di Portone-fonte (VGS):±30V

Identificazione:28A

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SBD di carburo di silicio: Diodi di barriera Schottky a carburo di silicio di potenza per forno elettrico; SBD di carburo di silicio ad alta tensione di rottura per data center; SBD carburo di silicio industriale multiuso per la saldatura

Invertitore IGBT: 15A 1200V Inverter IGBT corto circuito resiste tempo 10μS per il conducente del motore; Invertitore affidabile e robusto IGBT Modulo di potenziamento canale N; Piastra di ricarica Transistor IGBT polifunzionale per applicazioni OBC

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